Розрахунок вольт-амперної характеристики сонячного елемента при врахуваннi змiни поверхневої рекомбiнацiї з прикладеною напругою, Детальна інформація

E00=eh(пNd/Emеф)1/2

Для омiчного контакту на тильнiй сторонi формули [5.7] будуть при вiдповiднiй замiнi Nd на Na i Vn на Vp.

Густина струму p-n переходу приймалась рiвною:

I2=is2(1-e-(eV2/KT)) (8)

Де Is визначається виразом (2) при Sh,w=Sh,w0.

Розрахунок проводиться при слiдуючих параметрах моделi :

Nd=1018см-3,

Na=10-16см-3,

w=10-4см,

h=10-2см,

lp=5*10-3см,

ln=3*10-2см,

Sw0=104см/с,

Sh0=104 105см/с.

Властивостi омiчних контактiв змiнювались. Омiчний контакт на фронтальнiй сторонi характеризується слабким запiрним вигином зон з ?01=0,2:0,6еВ. Властивостi омiчного контакту на тильнiй сторонi змiнювались вiд антизапiрного вигину зон до запiрного з ?03=0,05:0,4еВ; змiнювалась також концентрацiя легуючих домiшок з 1016 до 1018см-3 (останнє значення може бути при утвореннi або BSF шару). Приймалось також, що А1/А2=0,1; А3=А2.

Розрахунковi ВАХ при рiзних параметрах омiчного контакту на фронтальнiй i тиловiй сторонi показанi на (рис.1). Видно що частини ВАХ з n>2 спостерiгаються на бiльшому iнтервалi напруги. Чим бiльший омiчний контакт (бiльша висота потенцiального бар'єра ?01 або ?03), з зменшенням потенцiального бар'єру на омiчному контактi цей участок або значно зменшується або зникає зовсiм (рис. 1.в). Якщо на тильному контактi реалiзувався антизапiрний вигин зон, або великий рiвень пiдлегування, то участок з n>2 зовсiм не спостерiгається (рис. 3).

Мал. 6

Мал. 7

Мал. 8

Мал. 9

Мал. 10

Мал. 11

Мал. 12

Мал. 13

Мал. 14

Мал. 15

Мал. 16

Мал. 17

Мал. 18

Мал. 19