До питання динамічного підпорогового дефектоутворення у вузькозоннихнапівпровідниках АIIIВV

0 0,25 0,5 0,75

х,мкм

nS,см-2

=0, 1 Дж(см-2

1

2



0,25

10-2 10-1 100

I0, Дж(cм-2

Рис 3. Динаміка поведінки дефектів в InSb після опромінення імпульсами рубінового лазера: ( – 2-4 години після опромінення; ( – 48 годин після опромінення; ( – тиждень після опромінення; – два тижні після опромі-нення індію в кубічній модифікації прямозонні

{111}

{110}

1

Рис 4. Двомірне зображення кристалічної решітки кристала А3В5 (у тому числі й антимоніду індію) кубічної модифікації (сфалерит). Зв’язок 1 відповідає чистому ковалентному