До питання динамічного підпорогового дефектоутворення у вузькозоннихнапівпровідниках АIIIВV, Детальна інформація

Література

Курбатов Л.Н., Стоянова И.Г., Трохимчук П.П., Трохин А.С. Лазерный отжиг полупроводни-ковых соединений элементов АшВv // ДАН СССР. – 1983. – Т.268. – Вып.3. – С.594-597.

Трохимчук П.П. Поліметричне моделюванння інформаційних та фізичних процесів. – Луцьк: Вежа, 1999. – 344 с.

Трохимчук П.П. Розробка основ теорії нестандартного моделювання інформаційних та фізичних процесів. Дисертація ... д. техн. н. – Вінниця: Держ. техн. ун-тет, 1994. – 280 с.

Зельдович Я.Б. Высшая математика для начинающих и ее применения в физике. – М.: Наука, 1970. – 560 с.

Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп. – М.: Мир, 1967. – 477 с.

Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. – К.: Наук. думка, 1975. – 703 с.

Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. – К.: Наук. думка, 1979. – 336 с.

Wantelet M., Faily-Lovatto M., Lande L.D. Dangling bonds in Si and Ge during laser irradiation. Phys.C.:Sol.-St.Phys.,v.13, 1980. –P.5505-5514.

Bahir G., Kalish R. cw CO2 ruby laser annealing of ion-implanted Hg1xCdxTe // Applied Physics Letters.– 1981. – №9.–V.39.– P. 730-732.

в Mg+/InSb після опромінення імпульсами рубінового /3/ та лазера на СО2 /4/

0,75

0,5

0,25

0

10-2 10-1 100 10

1015

1013

1011



nS,см-2

I0,Дж(см-2

1

2

3

4

1015

1014

1013

1012