До питання динамічного підпорогового дефектоутворення у вузькозоннихнапівпровідниках АIIIВV, Детальна інформація
До питання динамічного підпорогового дефектоутворення у вузькозоннихнапівпровідниках АIIIВV
0 0,25 0,5 0,75
х,мкм
nS,см-2
=0, 1 Дж(см-2
1
2
0,25
10-2 10-1 100
I0, Дж(cм-2
Рис 3. Динаміка поведінки дефектів в InSb після опромінення імпульсами рубінового лазера: ( – 2-4 години після опромінення; ( – 48 годин після опромінення; ( – тиждень після опромінення; – два тижні після опромі-нення індію в кубічній модифікації прямозонні
{111}
{110}
1
Рис 4. Двомірне зображення кристалічної решітки кристала А3В5 (у тому числі й антимоніду індію) кубічної модифікації (сфалерит). Зв’язок 1 відповідає чистому ковалентному
х,мкм
nS,см-2
=0, 1 Дж(см-2
1
2
0,25
10-2 10-1 100
I0, Дж(cм-2
Рис 3. Динаміка поведінки дефектів в InSb після опромінення імпульсами рубінового лазера: ( – 2-4 години після опромінення; ( – 48 годин після опромінення; ( – тиждень після опромінення; – два тижні після опромі-нення індію в кубічній модифікації прямозонні
{111}
{110}
1
Рис 4. Двомірне зображення кристалічної решітки кристала А3В5 (у тому числі й антимоніду індію) кубічної модифікації (сфалерит). Зв’язок 1 відповідає чистому ковалентному
The online video editor trusted by teams to make professional video in
minutes
© Referats, Inc · All rights reserved 2021